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　　(2)创新来源情况

　　Ø 中国在IGBT技术领域取得了长足的发展，其中自2014年以来，65%的发明方案在中国得到了保护，这表明中国实体近年对这一领域的强烈关注。

　　Ø 近年来，来自日本的发明专利数量有所减少。

　　Ø 在美国提交的专利获得授权的时间最快，并且在美国提交的专利中几乎87%已经被授权。

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　　(3)专利实体情况

　　Ø 前3位发明数量最高的实体是富士电机(665项)，英飞凌(624项)和三菱电机(363项)。

　　Ø 剑桥半导体公司、安森美半导体和古河电气工业具有高引用数量的旧有专利，是影响深远的早期创新者。

　　Ø ABB、罗姆半导体、三星电机、电子科技大学、东南大学是该领域的新兴实体，拥有强大的年轻专利组合。

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　　(4)国家电网公司情况

　　Ø 在电力电子、半导体以及计算和控制领域，国家电网公司在中国的专利被其他专利引用。

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　　(5)技术趋势

　　Ø 沟槽、硅基 IGBT 和减薄是在 IGBT 分类中发明数量最高的主要类别。

　　Ø 沟槽、碳化硅基 IGBT 和载流子存储层子类在 IGBT 分类内显示出最高的增长。

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　　(完整结论请参见报告全文)

　　七、报告的获取方式

　　报告全文将以纸质版和电子版两种方式发布，单本定价150元，发布时间初步定于2021年3月。现在正式开始接受预定。其中：

　　纸质版可联系英大传媒集团数字出版中心购买，可接受个人和团体订购，个人提前订购享受优惠价，团体订购享受阶梯优惠。

　　电子版可通过中国电力百科网PC端(www.ceppedu.com)、移动端(电网头条APP知识频道)来购买阅读。中国电力百科网会员单位可享受免费在线阅读。

　　报告检索到的近20年的IGBT专利全文(共计10259篇)已全部录入到中国电力百科网专利库中，后期对电百网会员单位开放阅读和下载。

　　如对报告的内容、获取方式以及会员单位的开通等问题有疑问，可联系我们。

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