1)PERC 电池：

　　“PERC+”打开转换效率优化空间：太阳能光伏电池已步入“PERC+”时代，SE、MWT、双面以及各类镀膜技术的引入(P-TOPCon)，使得“PERC+电池”在终端降本提效的趋势下依然保持着生命力。产业界研究及实践经验表 明，通过提升硅片性能、改善背面钝化层(如：调整与钝化层匹配的热处理工艺、优化背面钝化层减少表面缺陷态 密度、P 区超薄氧化硅钝化层制备及遂穿控制、P 区非晶硅或多晶硅层制备等)、优化反射膜层、改善正面钝化层、 优化发射极、采用先进的金属化方案(MBB 优化设计、浆料升级、印刷方式革新)等方式，“PERC+电池”转换效 率仍有进一步提升空间。据隆基股份预测，未来 PERC 电池转换效率有望实现从 22.92%向 24%以上的提升。

　　210 硅片摊薄电池端非硅成本，深挖 PERC 成本下降潜力：硅片尺寸扩大可摊薄电池端非硅成本，使得电池片单瓦 成本进一步下降。以 G12 为例，面积相比 M2 增加 80.5%，设备投资成本降低 30%，意味着单瓦折旧成本有望降低 60%左右，可有效摊薄非硅成本，进一步提升 PERC 电池性价比。

　　2)TOPCon：

　　TOPCon 电池已实现 GW 级量产，部分主流厂商规划尝试 TOPCon 量产可行性。相比 PERC，TOPCon 电池生产工 艺的改变主要在于：增加了隧穿氧化物沉积、多晶硅沉积、硼扩工序，同时需增加湿法刻蚀步骤来应对非晶硅的绕 镀问题。理论上，TOPCon 技术仅需在现有产线基础上增加薄膜沉积设备、硼扩散炉和湿法刻蚀设备即可实现产线 升级。目前 LG、天合光能、REC、中来已实现 TOPCon 量产，其中中来拥有 2.4GW 产能。

　　TOPCon 各环节工艺及国产设备发展已较为成熟：

　　隧穿氧化物的制备：主要以热氧工艺为主，基本可集成在 LPCVD 机台中实现;

　　多晶硅沉积：可分为两种方式，一种是先进行非晶硅层生长，而后通过扩散炉晶化并通入磷源进行掺杂，另一 种是通入磷源实现原位掺杂，而后退火晶化。实际工业生产中，非晶硅沉积主要利用 LPCVD 设备实现，缺点 在于沉积过程中存在绕镀现象。

　　湿法刻蚀：由于非晶硅沉积存在绕镀，实际量产中采用湿法刻蚀工艺对绕镀的非晶硅进行刻蚀。

　　硼扩是 TOPCon 生产的另一关键点，用于在 N 型硅片上形成发射极：相比于磷扩散炉，硼扩散炉需要做更多的 改进和优化，硼扩所需温度高，周期长使得产能较低，同时对扩散均匀性的控制难度加大。在前驱体的选择上， Tempress 和 Centrotherm 主要采用三溴化硼，由此产生的硼硅玻璃易使石英件粘黏，减少设备的正常运行时间， 通过减少前驱体的消耗量可以得到较好的解决。Semco、拉普拉斯将气体形式的三氯化硼作为前驱体，产生的 BSG 更易去除，可降低设备的运营成本和维护成本，但容易形成腐蚀性和安全问题。目前硼扩散技术已经较为成熟，SEMCO 、CT、捷佳伟创、Tempress、拉普拉斯均可提供低压扩散炉。

　　薄膜沉积设备逐步突破，提效降本前景可期：在 TOPCon 电池制造工艺中，LPCVD 技术被大量应用于非晶硅沉积的 量产实践中。目前用于 TOPCon 技术的 LPCVD 设备均可以同时生长隧穿氧化物和多晶硅薄膜且不破坏真空，同时 还可以实现多晶硅掺杂，缺点在于沉积过程会产生绕镀，主要生产厂家包括 Centrotherm、捷佳伟创、SEMCO 和 Tempress。新设备进展方面，近期微导研发的全球首台适用于 TOPCon 技术的 ALD 设备正式进入量产阶段，产品 已交客户使用。据公司官方微信显示，该镀膜平台(祝融系列)兼容 PERC 与 TOPCon 两种工艺，在原有 PERC 工 艺上新增一台祝融平台、清洗机以及硼扩设备，即可完成 TOPCon 电池正面氧化铝/氮化硅、背面隧穿氧化层/多晶硅 与氮化硅的钝化，相比于传统 LPCVD 设备沉积技术，可大幅改善 N 型电池正面多晶硅绕镀面积与掺杂多晶硅镀膜 速率降低的影响, 且掺杂钝化效果优于传统磷扩散工艺，具备综合的正背面钝化能力。我们预计，随着设备性能的 优化，TOPCon 技术成本仍有下降潜力。

　　TOPCon 工业量产效率再提升，或提振下游尝试积极性，建议关注后续产业化进展：TOPCon 大规模推广的难点在 于：1)主流量产转换效率绝对值较 PERC 高出 1%，但成本较高，性价比优势尚不明显;2)技术路线多样，电池厂 商对于技术路线的选择尚处于观望状态。当前 TOPCon 量产方面已发生一些积极变化：其一，中来 TOPCon 电池量 产效率于今年 3 月突破 23.5%，研发效率方面，宁波材料实验室针对 PECVD 工艺路线开发出了效率 24.27%的 N 型 TOPCon 电池;其二，关键的薄膜沉积国产设备效率取得进一步进展，据 PV Infolink 统计，TOPCon 单 GW 投资在 3~3.5 亿元左右，我们预计随着设备效率提升和价格下降，单 GW 投资金额降低至 3 亿元以下是可以期待的;其三， MBB 技术和无主栅技术的使用有望减少银浆耗量，TOPCon 电池由于需要在两面使用银浆，双面银浆耗量约为 130~150mg/片，相比于 PERC(银浆耗量约 85mg/片)成本劣势比较明显。中来已实现 GW 级以上的量产，经验数 据得以积累，量产效率进一步提升，新的产线已开始建设，或对 TOPCon 未来确定最优技术路线、进一步降本起到 示范作用。我们认为，TOPCon 与现有 PERC 产线兼容性高，若未来技术性价比提升超越 PERC，则有望激发现有产 线改造需求，延长现有产线生命周期，建议积极关注后续产业化进展。

　　3)HJT 电池：

　　HIT 工艺步骤简单，仅有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、透明导电膜制备和丝网印刷四步，通威、晋能、钧石、中智、 国电投等厂商建立了 MW 级试验线积极探索 HJT 大规模量产途径，经过近年来的工艺实践，HIT 降本路径已逐步 清晰，降本挖潜空间巨大。

　　制绒清洗环节，双氧水+臭氧工艺效果更佳，有望成为主流路线：HIT 电池非晶硅/晶硅界面钝化质量高，对硅片品 质和表面清洁度、金字塔形貌控制提出更高要求，大尺寸绒面可以提升钝化效果，增加绒面反射率，需要精确优化 和控制绒面尺寸以最大化电池效率，因此 HIT 对清洗工艺要求也更为严格。针对异质结工艺的硅片清洗主要是 RCA 和臭氧清洗两种，RCA 工艺中所使用的氨水和过氧化氢具有较强的挥发性，在 SC1 和 SC2 工序超过 60℃的温度下 会带来较大的消耗，因而清洗成本更高。臭氧清洗工艺使用臭氧和氢氟酸溶液代替氨水、过氧化氢和硝酸，生产过 程更加环保，且对有机杂质和金属杂质的去除效果更好。此外，臭氧/氢氟酸可实现各向同性的轻微刻蚀，有效地去 除富含晶体缺陷的区域，从而提高界面钝化效果。从目前 HIT 实际生产情况看，双氧水+臭氧工艺清洗效果稳定， 单片清洗成本可降至 0.22~0.3 元，仅为双氧水+氨氮工艺成本的一半左右，而纯臭氧工艺量产厂家还相对较少，但纯 臭氧工艺能够减少过氧化氢的使用，若能克服现有工艺缺点，则能够进一步降低化学品耗量。