IBC 电池(交叉指式背接触太阳能电池)：IBC 电池以 N 型硅为衬底，PN 结和金属接触均位于背表面，成叉指状 排列，避免了金属栅线电极对光线的遮挡，前背表面均采用氧化硅/氮化硅叠层作为钝化层，结合前表面金字塔绒面 结构能够减少光学损失，最大程度地利用入射光，具有更高的短路电流。在正面无栅线遮光和金属接触的条件下， 可对表面钝化及陷光结构进行最优化设计，降低前表面复合速率。背表面采用扩散法形成 p+和 n+交错间隔的交叉式 电极接触高掺杂区，通过在钝化膜上开孔，实现金属电极与发射区的点接触连接，降低载流子的背表面复合速率。由于采用背接触结构，串联电阻低于传统电池，具有较高的填充因子。此外，IBC 电池外形美观，具有较好的商业 化前景。缺点在于背表面需要多次掩模和光刻技术，工艺步骤多且复杂，结构设计难度大。

　　黄河水电、中来光电、天合光能已在 IBC 领域积极布局，其中黄河水电 IBC 产品于 2019 年 10 月正式下线，12 月量产电池平均转换效率达到 23%，并与意大利 FuturaSun 签订 50MW IBC 组件出口合同。

　　3、展望：短期 PERC 为扩产主力，N 型技术星星之火产业化前景可期

　　从产业发展规律看，一种电池技术若要成为有竞争力的主流技术，需要能够达到降低 LCOE 的目标，即降低成本的 同时提升发电效率。太阳能电池转换效率损失的主要原因包括载流子损失、欧姆损失和光学损失，改善的途径主要 有：减少反射损失，如：采用减反膜、采用凹凸结构;表面钝化技术;减少投射损失;设计 p-i-n 结构;采用纳米结 构;增加导电通路，减少遮光损失等方式。从成本角度看，电池片成本的下降来源于原材料成本降低、设备效率提 升和成本下降、工艺成本降低以及电池转换效率的提高。

　　1)PERC 电池：

　　“PERC+”打开转换效率优化空间：太阳能光伏电池已步入“PERC+”时代，SE、MWT、双面以及各类镀膜技术的引入(P-TOPCon)，使得“PERC+电池”在终端降本提效的趋势下依然保持着生命力。产业界研究及实践经验表 明，通过提升硅片性能、改善背面钝化层(如：调整与钝化层匹配的热处理工艺、优化背面钝化层减少表面缺陷态 密度、P 区超薄氧化硅钝化层制备及遂穿控制、P 区非晶硅或多晶硅层制备等)、优化反射膜层、改善正面钝化层、 优化发射极、采用先进的金属化方案(MBB 优化设计、浆料升级、印刷方式革新)等方式，“PERC+电池”转换效 率仍有进一步提升空间。据隆基股份预测，未来 PERC 电池转换效率有望实现从 22.92%向 24%以上的提升。

　　210 硅片摊薄电池端非硅成本，深挖 PERC 成本下降潜力：硅片尺寸扩大可摊薄电池端非硅成本，使得电池片单瓦 成本进一步下降。以 G12 为例，面积相比 M2 增加 80.5%，设备投资成本降低 30%，意味着单瓦折旧成本有望降低 60%左右，可有效摊薄非硅成本，进一步提升 PERC 电池性价比。

　　2)TOPCon：

　　TOPCon 电池已实现 GW 级量产，部分主流厂商规划尝试 TOPCon 量产可行性。相比 PERC，TOPCon 电池生产工 艺的改变主要在于：增加了隧穿氧化物沉积、多晶硅沉积、硼扩工序，同时需增加湿法刻蚀步骤来应对非晶硅的绕 镀问题。理论上，TOPCon 技术仅需在现有产线基础上增加薄膜沉积设备、硼扩散炉和湿法刻蚀设备即可实现产线 升级。目前 LG、天合光能、REC、中来已实现 TOPCon 量产，其中中来拥有 2.4GW 产能。

　　TOPCon 各环节工艺及国产设备发展已较为成熟：

　　隧穿氧化物的制备：主要以热氧工艺为主，基本可集成在 LPCVD 机台中实现;

　　多晶硅沉积：可分为两种方式，一种是先进行非晶硅层生长，而后通过扩散炉晶化并通入磷源进行掺杂，另一 种是通入磷源实现原位掺杂，而后退火晶化。实际工业生产中，非晶硅沉积主要利用 LPCVD 设备实现，缺点 在于沉积过程中存在绕镀现象。

　　湿法刻蚀：由于非晶硅沉积存在绕镀，实际量产中采用湿法刻蚀工艺对绕镀的非晶硅进行刻蚀。

　　硼扩是 TOPCon 生产的另一关键点，用于在 N 型硅片上形成发射极：相比于磷扩散炉，硼扩散炉需要做更多的 改进和优化，硼扩所需温度高，周期长使得产能较低，同时对扩散均匀性的控制难度加大。在前驱体的选择上， Tempress 和 Centrotherm 主要采用三溴化硼，由此产生的硼硅玻璃易使石英件粘黏，减少设备的正常运行时间， 通过减少前驱体的消耗量可以得到较好的解决。Semco、拉普拉斯将气体形式的三氯化硼作为前驱体，产生的 BSG 更易去除，可降低设备的运营成本和维护成本，但容易形成腐蚀性和安全问题。目前硼扩散技术已经较为成熟，SEMCO 、CT、捷佳伟创、Tempress、拉普拉斯均可提供低压扩散炉。